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EEPROM
基于相变材料的2兆位电擦除可编程只读相变存储器（EEPROM）
产品概况和性能参数介绍：---采用先进的40纳米CMOS工艺制程---芯片尺寸1.96 mm2---数据存储前无需进行擦除动作---低功耗，工作电压1.8V-3.6V，静态工作电流1uA---SPI接口，最大工作频率30MHz---单页（256字节）写入时间小于2.5ms 产品可靠性参数介绍：---产品耐擦写次数大于10^7次---强大的抗辐射性能---25℃条件下数据保存时间可达100年---工作温度-40℃—+85℃---2kV ESD防静电?；つ芰?/span>
产品概况和性能参数介绍：
---采用先进的40纳米CMOS工艺制程
---芯片尺寸1.96 mm2
---数据存储前无需进行擦除动作
---低功耗，工作电压1.8V-3.6V，静态工作电流1uA
---SPI接口，最大工作频率30MHz
---单页（256字节）写入时间小于2.5ms
产品可靠性参数介绍：
---产品耐擦写次数大于10^7次
---强大的抗辐射性能
---25℃条件下数据保存时间可达100年
---工作温度-40℃—+85℃
---2kV ESD防静电?；つ芰?/span>
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